我司参加2024 九峰山论坛取得圆满成功

【2024年4月9日-12日，武汉】

亚科电子赴武汉参与九峰山论坛亚科电子参与2024 九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会，参与了多场讲座论坛，与多方业内人士探讨了行业前沿资讯，同时也与各位专家分享了我司深厚的行业经验。九峰山光谷汇聚了大量的化合物半导体企业，本次会议也围绕化合物与光电、功率等主题做开展，多家头部企业、业内领导人物齐聚一堂，与会嘉宾包含中国工程院院士干勇、中国科学院院士祝世宁、中国工程院院士尤政、中国工程院院士余少华等。

　亚科电子作为化合物领域领先的设备集成服务商，以及业界顶尖的键合设备EVG的主要代理商，亚科电子在本次会议中重点关注了，由九峰山实验室键合工艺技术开发负责人张洁琼在化合物半导体核心装备的会议报告——化合物半导体异质集成晶圆键合技术与应用。此报告内容涵盖了熔融键合、低温等离子活化键合、室温表面活化键合、阳极键合、金属热压键合、共晶键合、固液互扩散键合、临时键合/解键合、die to wafer键合、混合键合等。以及键合的应用，诸如：高性能复合衬底（SOI、POI、Smart cut等等）、硅基光电子异质集成、Si/GaN异质集成、微机电系统器件集成与封装、热管理、3D集成/先进封装（D2W、W2W混合键合）等。

　在其他相关的会议报告中也展示了EVG Combond键合设备的优异性能与前沿应用。EVG Combond键合设备可以把键合面厚度控制在5nm以内，相比目前广泛应用的等离子活化键合的中间层SiO2，Combond可以提供无氧化层的导电键合，相关应用诸如N型GaN外延、Smart SiC等。法国SOITEC和日本住友则分别采用了高真空和SAB方法实现了Smart SiC材料片的制造，以冀降低SiC材料片成本并提升性能。对于会议中提到的各项键合技术与应用，正是我司长期深耕的领域，在各类键合工艺上，亚科一直是许多客户可靠的合作伙伴，不仅九峰山实验室使用的EVG键合设备是我司所代理的品牌之一，我司更是能够在完整的工艺与设备上，给客户提供从工艺到检测的完整的解决方案，为客户提供所需的整线设备。

　并在目前业界最关注的先进封装领域与键合技术的应用之外，在检测方面，亚科也具备完整、先进的测试解决方案。在先进半导体检测技术与标准论坛中，九峰山实验室检测中心首席科学家麦志洪针对第三代化合物半导体材料表征技术做出了相关报告。从专家的报告中，也揭示了诸多与我司检测设备匹配的应用，不论是对各类先进化合物晶圆的迁移率/载流子浓度/电阻率表征等方面的测量，或是对晶圆的硬度和弹性模量的量测、表面粗糙度测量，或是对器件的离子注入测量等等，我司都配备了相应的先进检测设备，为客户在新材料或各类晶圆、衬底、外延等的研究开发上给到最有效的测量测试方法。

　对应于本次论坛的主轴，我们在本次会议的展览中，重点展示了亚科在化合物半导体领域中的全套测试解决方案。其中包含了我司的Semilab电性能检测、Bruker表面形貌检测、TESCAN FIB电子显微镜、FRT晶圆形貌测量等，可在在衬底制造、外延制造、器件制造等方面提供全面的测试与检测：

衬底制造

体电阻率：非接触涡流探针、非接触电容法

迁移率：非接触微波测试深能级缺陷：DLTS深能级瞬态谱

少子寿命：微波光电导衰减法

表面形貌J粗糙度：SEM、AFM

厚度/TTV/BOW/Warp：自动三维形貌量测

外延制造

载流子浓度/外延掺杂浓度：MCV、CnCV

截面扩展电阻率：SRP扩展电阻测试

外延层厚度：EIR傅立叶红外光谱椭偏仪

方阻/迁移率：非接触涡流探针、霍尔测试

晶格缺陷：XRD、XRT

器件制造

介质膜厚度：椭偏仪

栅氧层隧穿：CnCV

注入在线监测：PMR热波

结深/沟道宽度/注入浓度：SRP

失效分析：FIB

　在四天的会议中，各方专家带来了多场精彩的报告，其中在第一天主旨大会上揭示了本次论坛的核心议题：

　　华中科技大学校长、中国工程院院士尤政在题为“微系统，大作为”的主旨报告中分享了智能微系统技术的最新进展。他强调了MEMS、光电子和3D异质／异构集成技术作为智能微系统的核心要素，并指出智能微系统是一种催生新概念产品、推动行业升级换代甚至变革的新型生产力技术，为相关传统产业跨越式发展提供了新机遇。

　　在材料集成方面，晶圆键合技术在半导体器件、MEMS和光电子器件等领域具有重要应用。EV Group首席键合科学家Viorel DRAGOI提出了晶圆键合技术在材料集成中的应用前景，特别强调等离子体激活键合和室温共价键合技术的重要性。

　英特尔研究院资深首席工程师荣海生介绍了“异质集成III－V／Si激光器和放大器的硅光平台”，指出异质集成能够将不同的光子功能完全集成在硅光子平台上，具有高可靠性和可制造性，广泛应用于光通信和光互连等领域。

　随着新能源汽车向电动化、智能化方向发展，SiC技术的突破提高了电驱动功率转换效率，实现了整车效率的显著提升。芯联集成电路制造股份有限公司执行副总裁刘煊杰分享了碳化硅的机遇与挑战，指出SiC技术使得800V超充成为可能，满足了特定应用场景的需求，预示着中国SiC产业有望实现领先地位。

　此外，功率半导体在新型电力系统中具有重要意义。华为数字能源技术有限公司首席科学家黄伯宁指出，碳中和引发了能源生产和消费的革命，同时为各行业带来了升级换代的机遇。化合物功率器件，特别是SiC，与绿色能源产业的需求高度契合。

　以及，锗、砷化镓和磷化铟等半导体材料在半导体器件中发挥着关键作用。云南锗业公司首席科学家惠峰分享了这些材料的现状及发展趋势，指出砷化镓和磷化铟的光模块和射频器件是当前发展的热点。磷化铟、砷化镓衬底大直径低位错关键技术突破进程加快，对高品质、高均匀性和低缺陷衬底的需求急剧增加。

　我司已专注于半导体设备领域超过25年，拥有丰富的行业经验及自主的专业团队，不仅在化合物半导体领域能为客户提供专业适配的整线服务，在MEMS、光电、先进封装、功率、微纳加工等如下多个领域同样具备全套而专业的解决方案。

　亚科电子始终致力于为客户提供一站式的设备解决方案，帮助客户实现制造过程的优化和卓越。如果您对以上的产品和服务感兴趣，欢迎随时联系我们，我们将竭诚为您提供帮助！

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