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SENTECH SI 500D系列 ICPECVD
产品描述
参数

产品简介:

SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术,如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件,以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。
SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底,从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件,并实现在不同工艺之间的便捷切换。
SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体,SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。
SENTECH提供不同级别的自动化程度,从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口,可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统,目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。
 

主要特点及参数:

·低温沉积高质量电介质膜:50℃~350℃;

·薄膜特性连续可调:厚度、折射率、应力;

·高速率沉积、低损伤;

·基底温度从室温到350℃可控;

·配置预真空锁/Loadlock,带有取放机械手;

·可选激光干涉终点探测系统。

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发布时间:2019-08-21 00:00:00

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