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SENTECH SI 500PPD系列 PECVD
产品描述
参数

产品简介:

SI 500 PPD代表了先进的等离子体增强化学气相沉积设备,用于介质膜、非晶硅、碳化硅和其他材料的沉积。它基于平板电容耦合等离子体源,预真空室,温控衬底电极,可选的低频射频源、全自动控制的无油真空系统、先进的SENTECH控制软件,采用远程现场总线技术,以及用户友好的通用界面来操作SI 500 PPD。
SI 500 PPD等离子沉积设备,可以加工从大到200毫米直径的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件,并实现简易切换的过程。
SI 500 PPD等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体,SI 500 PPD可以为TEOS, SiC和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 PPD特别适用于化学气相沉积用于刻蚀掩膜,钝化膜,波导及其他的介质膜和非晶硅。
SENTECH提供不同级别的自动化程度,从真空片盒载片到一个工艺腔室或至多六个工艺模块端口,可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统,目标是高灵活性或高产量。SI 500 PPD也可用作多腔沉积系统中的一个工艺模块。
 

主要特点及参数:

·电源13.56 MHz, 600 W;

·可选低频应力调节;

·兼容 3” - 8”晶圆;

·液体源 (e.g. TEOS);

·电极高度变量;

·基底温度从室温到350℃可控;

·配置预真空锁/Loadlock,带有取放机械手;

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发布时间:2019-08-21 00:00:00

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