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SENTECH Etchlab200系列 RIE
产品描述
参数

产品简介:

Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族,它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载,从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。
Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半导体,介质和金属。

主要特点及参数:

·基底4"-8"直径,可支持小片材料和多晶圆;

·配置预真空锁/Loadlock,带有取放机械手;

·绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃);

·可选干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统;

·配置灵活,可选项包括:在线椭偏测量、PE电极、加气路、Cassette到Cassette操作方式、外部反应腔加热等。

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发布时间:2019-08-21 00:00:00

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