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SENTECH SI500系列 ICP-RIE
产品描述
参数

产品简介:

SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA,动态温度控制的衬底电极,全自动控制的真空系统,使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。
SI 500 ICP等离子刻蚀机,可以用于加工各种各样的衬底,从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件,并且切换工艺非常容易。
SI 500 ICP等离子刻蚀机,通过配置可用于刻蚀不同材料,包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb),介质,石英,玻璃,硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。
SENTECH提供用户不同级别的自动化程度,从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口,可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统,目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。

 

主要特点及参数:

·支持2"-8"基片;

·配置预真空锁/Loadlock,带有取放机械手;

·绝缘、冷却和加热电极 (-30℃~ 250℃);

·干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统;

·工艺特点:高速率、低损伤、高工艺一致性,且适合于高深宽比结构。

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发布时间:2019-08-21 00:00:00

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